韩媒: 中国长鑫存储加速向高端产品转型!

6月6日，韩国媒体《Etoday》发表文章称，近期，中国半导体企业正快速从低成本通用存储器市场转向高规格、高附加值产品。特别是随着技术力的急速增长，以长鑫存储为中心，正在批量生产双数据率（DDR5）和高带宽存储器（HBM）等尖端产品。韩国业界认为，韩国半导体企业在工艺完善度、良品率、市场响应速度等方面仍然拥有明显的技术优势。

据市场研究公司TrendForce称，中国长鑫存储计划在今年年底前逐步减少DDR4的出货量。尽管具体减产规模尚不清楚，但有人猜测，最早可能在今年年底停止发货。

DDR4是代表性的低成本通用存储器，广泛应用于PC、笔记本电脑、服务器等。长鑫存储预计将加速构建以韩国企业重点关注的DDR5、HBM等高规格、高附加值尖端产品为中心的产品组合。

自去年以来，长鑫存储通过发起低价攻势，在DDR4市场取得了显著增长。长鑫存储的市场份额在2020年还不足1%，，但去年却迅速增长至5%。据市场研究公司Omdia预测，长鑫存储今年的DRAM产能预计将从去年的162万片增至273万片，增幅达68%。已经追到了市场第3位的美光公司的眼皮底下。

然而，韩国企业一直在加速推进“去通用化”战略，全面对低收益产品进行结构调整。今年，三星电子和SK海力士都大胆降低通用DRAM的比重，集中进行以尖端存储器为中心的收益结构重组。三星电子计划将去年占DRAM总销售额30%以上的DDR4比重降低至个位数。SK海力士还大幅扩大了HBM的产能，并建立了全球首款HBM3E（第5代）的量产体系。

问题是，长鑫存储近期在高端半导体市场也表现出了令人瞩目的动向。虽然在尖端市场中，性能、可靠性、良品率稳定性、量产性等方面还存在较大差距，但如果在确保技术实力的同时，发起数量攻势，必然会对韩国企业的盈利能力产生负面影响。

事实上，长鑫存储去年年底就开始量产DDR5，最近又从现有的17纳米工艺转换至最新的16纳米工艺。该工艺与韩国企业2021年开始全面采用的10纳米级第三代工艺类似，技术差距已缩小至三年左右。HBM目前已开始量产第三代产品HBM2E，目前正在开发HBM3（第四代），目标是今年实现量产。

专家表示，中国在尖端产品市场占据优势需要一段时间，但追赶速度非常快。

韩国电子技术研究院研究员李圭福表示，“长鑫存储等中国企业确实通过提高DRAM产量对韩国国内企业构成威胁，但在先进技术方面仍然存在差距，因此似乎很难立即赶上。”他补充道：“当务之急是稳定设计和工艺。这样，我们才能确保良品率，保持市场优势。”